Szczegóły produktu
Warunki płatności i wysyłki
Opis: IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
4Gbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Płytka |
Zestaw: |
- |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
LVSTL |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
200-TFBGA (10x14,5) |
Typ pamięci: |
Lotny |
Mfr: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Częstotliwość zegara: |
1,6 GHz |
Napięcie - zasilanie: |
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
Opakowanie / Pudełko: |
200-TFBGA |
Organizacja pamięci: |
256M x 16 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 85°C (TC) |
Technologia: |
SDRAM — mobilny LPDDR4 |
Numer produktu podstawowego: |
IS43LQ16256 |
Format pamięci: |
NAPARSTEK |
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
4Gbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Płytka |
Zestaw: |
- |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
LVSTL |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
200-TFBGA (10x14,5) |
Typ pamięci: |
Lotny |
Mfr: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Częstotliwość zegara: |
1,6 GHz |
Napięcie - zasilanie: |
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
Opakowanie / Pudełko: |
200-TFBGA |
Organizacja pamięci: |
256M x 16 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 85°C (TC) |
Technologia: |
SDRAM — mobilny LPDDR4 |
Numer produktu podstawowego: |
IS43LQ16256 |
Format pamięci: |
NAPARSTEK |
