Szczegóły produktu
Warunki płatności i wysyłki
Opis: USSD 1T
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
1Tbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Taśma i rolka (TR) |
Zestaw: |
Pozycja AEC-Q100 |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
eMMC_5.1 |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
153-VFBGA (11,5x13) |
Typ pamięci: |
Nieulotne |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Częstotliwość zegara: |
200 MHz |
Napięcie - zasilanie: |
2.7V ~ 3.6V |
Opakowanie / Pudełko: |
153-VFBGA |
Organizacja pamięci: |
128G x 8 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 105°C (TA) |
Technologia: |
FLASH-NAND (SLC) |
Format pamięci: |
Błysk |
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
1Tbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Taśma i rolka (TR) |
Zestaw: |
Pozycja AEC-Q100 |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
eMMC_5.1 |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
153-VFBGA (11,5x13) |
Typ pamięci: |
Nieulotne |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Częstotliwość zegara: |
200 MHz |
Napięcie - zasilanie: |
2.7V ~ 3.6V |
Opakowanie / Pudełko: |
153-VFBGA |
Organizacja pamięci: |
128G x 8 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 105°C (TA) |
Technologia: |
FLASH-NAND (SLC) |
Format pamięci: |
Błysk |
