Szczegóły produktu
Warunki płatności i wysyłki
Opis: Układ scalony DRAM 4 GBIT 1,866 GHZ 200 WFBGA
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
4Gbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Taśma i rolka (TR) |
Zestaw: |
Pozycja AEC-Q100 |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
- |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
200-WFBGA (10x14,5) |
Typ pamięci: |
Lotny |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Częstotliwość zegara: |
1,866 GHz |
Napięcie - zasilanie: |
1,1 V |
Opakowanie / Pudełko: |
200-WFBGA |
Organizacja pamięci: |
128M x 32 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 95°C (TC) |
Technologia: |
SDRAM — mobilny LPDDR4 |
Numer produktu podstawowego: |
MT53E128 |
Format pamięci: |
NAPARSTEK |
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
4Gbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Taśma i rolka (TR) |
Zestaw: |
Pozycja AEC-Q100 |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
- |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
200-WFBGA (10x14,5) |
Typ pamięci: |
Lotny |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Częstotliwość zegara: |
1,866 GHz |
Napięcie - zasilanie: |
1,1 V |
Opakowanie / Pudełko: |
200-WFBGA |
Organizacja pamięci: |
128M x 32 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 95°C (TC) |
Technologia: |
SDRAM — mobilny LPDDR4 |
Numer produktu podstawowego: |
MT53E128 |
Format pamięci: |
NAPARSTEK |
