Szczegóły produktu
Warunki płatności i wysyłki
Opis: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
512Mbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Płytka |
Zestaw: |
- |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
Równoległy |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
90-TFBGA (8x13) |
Typ pamięci: |
Lotny |
Mfr: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Częstotliwość zegara: |
133MHz |
Napięcie - zasilanie: |
2,3 V ~ 3 V |
Czas dostępu: |
6 ns |
Opakowanie / Pudełko: |
90-TFBGA |
Organizacja pamięci: |
16M x 32 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Technologia: |
SDRAM - urządzenia mobilne |
Numer produktu podstawowego: |
IS42RM32160 |
Format pamięci: |
NAPARSTEK |
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Rozmiar pamięci: |
512Mbit |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Płytka |
Zestaw: |
- |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
Równoległy |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
- |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
90-TFBGA (8x13) |
Typ pamięci: |
Lotny |
Mfr: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Częstotliwość zegara: |
133MHz |
Napięcie - zasilanie: |
2,3 V ~ 3 V |
Czas dostępu: |
6 ns |
Opakowanie / Pudełko: |
90-TFBGA |
Organizacja pamięci: |
16M x 32 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Technologia: |
SDRAM - urządzenia mobilne |
Numer produktu podstawowego: |
IS42RM32160 |
Format pamięci: |
NAPARSTEK |
