Szczegóły produktu
Warunki płatności i wysyłki
Opis: FLASH - NOR PAMIĘĆ IC 512 MB (64M
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Wyroby masowe |
Zestaw: |
GL-T |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
Równoległy |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
60ns |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
64-FBGA (9x9) |
Typ pamięci: |
Nieulotne |
Mfr: |
Cypress Semiconductor Corp |
Rozmiar pamięci: |
512Mbit |
Napięcie - zasilanie: |
2.7V ~ 3.6V |
Czas dostępu: |
120 ns |
Opakowanie / Pudełko: |
64-LBGA |
Organizacja pamięci: |
64M x 8 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 125°C (TA) |
Technologia: |
BŁYSK - NIE |
Numer produktu podstawowego: |
S29GL512 |
Format pamięci: |
Błysk |
Kategoria: |
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć |
Status produktu: |
Aktywny |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Wyroby masowe |
Zestaw: |
GL-T |
Programowalny DigiKey: |
Nie zweryfikowane |
Interfejs pamięci: |
Równoległy |
Czas cyklu zapisu — słowo, strona: |
60ns |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
64-FBGA (9x9) |
Typ pamięci: |
Nieulotne |
Mfr: |
Cypress Semiconductor Corp |
Rozmiar pamięci: |
512Mbit |
Napięcie - zasilanie: |
2.7V ~ 3.6V |
Czas dostępu: |
120 ns |
Opakowanie / Pudełko: |
64-LBGA |
Organizacja pamięci: |
64M x 8 |
Temperatura pracy: |
-40°C ~ 125°C (TA) |
Technologia: |
BŁYSK - NIE |
Numer produktu podstawowego: |
S29GL512 |
Format pamięci: |
Błysk |
