ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
produkty
produkty
Do domu > produkty > Układ scalony pamięci > IS61WV51216EDBLL-8BLI

IS61WV51216EDBLL-8BLI

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Opis: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
8ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
48-TFBGA (6x8)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Rozmiar pamięci:
8Mbit
Napięcie - zasilanie:
2,4 V ~ 3,6 V
Czas dostępu:
8 ns
Opakowanie / Pudełko:
48-TFBGA
Organizacja pamięci:
512 KB x 16
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technologia:
SRAM — asynchroniczny
Numer produktu podstawowego:
IS61WV51216
Format pamięci:
SRAM
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
8ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
48-TFBGA (6x8)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Rozmiar pamięci:
8Mbit
Napięcie - zasilanie:
2,4 V ~ 3,6 V
Czas dostępu:
8 ns
Opakowanie / Pudełko:
48-TFBGA
Organizacja pamięci:
512 KB x 16
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technologia:
SRAM — asynchroniczny
Numer produktu podstawowego:
IS61WV51216
Format pamięci:
SRAM
IS61WV51216EDBLL-8BLI
SRAM - asynchroniczna pamięć IC 8Mbit Równoległa 8 ns 48-TFBGA (6x8)
ps6ahq937s9zjstx